特許

J-GLOBAL ID：200903046027947129

部分めつき方法

発明者： 喜多 利行 ,  佐藤 一也 ,  川岸 重光 ,  奥野 和義
出願人/特許権者： 奥野製薬工業株式会社
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-262475
公開番号（公開出願番号）：特開平5-106056
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月27日
要約：

【要約】【目的】従来のレジストインキのもつマスキング性能を損なうことなく、素材に無害であり且つ環境安全性に優れた部分めっき方法を提供する。【構成】無電解めっき工程において、めっきを必要としない部分にポリ-N-メチルアクリルアミド、ポリ-N-イソプロピルアクリルアミド、ポリ-N-t-ブチルアクリルアミド、ポリ-N-ヒドロキシエチルアクリルアミド及びポリ-N-N-ジメチルアクリルアミドよりなる感温性ポリマーの中から選ばれた少なくとも1種を主成分とするレジストインキの層を予め形成させ、エッチング処理後に該レジストインキ層を除去し、次いで無電解めっき処理を行なうことを特徴とする部分めっき方法。

請求項（抜粋）：

無電解めっき工程において、めっきを必要としない部分にポリ-N-メチルアクリルアミド、ポリ-N-イソプロピルアクリルアミド、ポリ-N-t-ブチルアクリルアミド、ポリ-N-ヒドロキシエチルアクリルアミド及びポリ-N-N-ジメチルアクリルアミドよりなる感温性ポリマーの中から選ばれた少なくとも1種を主成分とするレジストインキの層を予め形成させ、エッチング処理後に該レジストインキ層を除去し、次いで無電解めっき処理を行なうことを特徴とする部分めっき方法。

IPC (4件)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/28 ,  C23C 18/31 ,  H05K 3/18