特許

J-GLOBAL ID：200903046031619608

パターン形成方法および半導体装置

発明者： 森澤 拓 ,  福田 宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-362220
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176788
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】優れた反射防止効果とレジストに対する高いエッチング選択比を有する反射防止膜を提供する。【解決手段】被加工基板上にSi-N結合、Si-O結合、Si-H結合のいずれかを含む塗布型無機反射防止膜を挿んでレジスト膜を形成し、200nm以下の光を用いて露光することによりレジストパターンを形成し、さらにこれをマスクとして下地基板をエッチングする。

請求項（抜粋）：

無機薄膜を、回転塗布法により被加工基体上に形成する第1の工程、上記無機薄膜上にレジスト膜を形成する第2の工程、放射光を用いて選択的に上記レジスト膜に露光し、現像して上記露光部、または上記露光部以外の膜を選択的に除去し、パターンを形成する第3の工程、上記パターンをマスクとして上記無機薄膜および上記被加工基体をエッチングする第4の工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 301 Y