特許

J-GLOBAL ID：200903046032687780

半導体装置の絶縁膜の電気的評価装置

発明者： 光平 規之
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-199813
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045918
出願日： 1997年07月25日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の絶縁膜の特性の評価を、高精度でかつ簡単に行う。【解決手段】 演算増幅器OPの入力端子には、第1の絶縁膜により形成されるキャパシタC1が接続され、その入力端子と出力端子との間には、第2の絶縁膜により形成されるキャパシタC2が接続される。絶縁膜の相対容量値C1/C2は、出力電圧と入力電圧の比-Vout/Vinとして演算され、また、Vout=-Vin・(ε1/T1)/(ε2/T2)に、予め測定した第1及び第2の絶縁膜の膜厚T1、T2、または誘電率ε1、ε2、並びに入力電圧Vin、出力電圧Voutを挿入することにより、相対誘電率ε1/ε2、または相対膜厚T1/T2を演算することができる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の基板上の絶縁膜の特性を電気的に評価する装置において、入力電圧供給手段と、演算増幅器と、入力電圧供給手段と演算増幅器の入力端子との間に接続される入力キャパシタを形成する第1の絶縁膜と、演算増幅器の入力端子と出力端子との間に接続される帰還キャパシタを形成する第2の絶縁膜と、入力電圧供給手段からの入力電圧と演算増幅器の出力端子における出力電圧とに基づいて、絶縁膜の相対的特性を演算する演算手段とからなることを特徴とする電気的評価装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26

FI (3件)：

H01L 21/66 F ,  H01L 21/66 Q ,  G01R 31/26 B