半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-267081
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122489
出願日： 1993年10月26日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、簡単かつ少ない工程でオートドーピングを抑制することを目的とする。【構成】半導体基板1上に高濃度N型(又はP型)埋込層4をエピタキシャル成長で形成する第1の工程と、その埋込層4の表面にエピタキシャル成長でイントリンシック層6を形成する第2の工程と、イントリンシック層6を含む半導体基板1の全面にP型(又はN型)低濃度層2をエピタキシャル成長で形成する第3の工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に高濃度N型(又はP型)埋込層を持ち、その上にP型(又はN型)低濃度層をエピタキシャル成長により形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板上に前記高濃度N型(又はP型)埋込層をエピタキシャル成長により形成する第1の工程と、前記高濃度N型(又はP型)埋込層の表面にエピタキシャル成長によりイントリンシック層を形成する第2の工程と、前記イントリンシック層を含む前記半導体基板の全面に前記P型(又はN型)低濃度層をエピタキシャル成長により形成する第3の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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