特許
J-GLOBAL ID：200903046037661142
薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-145389
公開番号（公開出願番号）：特開平7-331429
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年12月19日
要約：
【要約】【目的】 ステップカバレージ性が良くしかも膜応力の少ない良質な酸化膜34を段差31のある表面に成膜する。【構成】 バイアス電圧を-100V未満としたバイアススパッタリング方式によりAl2O3等の膜材料を基板表面に所定厚さ分だけ沈着させるスパッタリング工程と、該スパッタリング工程において沈着してなる膜を前記所定厚さよりも薄い膜厚分だけ食刻する条件のエッチング工程とを、交互に実施する。
請求項（抜粋）：
膜材料を基板表面に所定厚さ分だけ沈着させるスパッタリング工程と、該スパッタリング工程において沈着してなる膜を前記所定厚さよりも薄い膜厚分だけ食刻する条件のエッチング工程とを、交互に実施して基板表面に成膜を行なうことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (5件)：
C23C 14/34
, C23C 14/08
, C23F 4/00
, G11B 5/31
, H01L 21/203
