特許
J-GLOBAL ID：200903046042577176
垂直方向の組成変化を有する誘電体に対する多段階エッチ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-370150
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223618
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 垂直方向の組成変化を有する多層集積回路の誘電体構造に対する、改善された多段階エッチングの方法を提供する。【解決手段】 エッチングプラズマ内へ流入するガスが、(高縦横比の)深い機構または多層構造をエッチングする時に起こるエッチング化学反応における変化を補償するように変化せしめられる、集積回路構造のエッチング方法。この革新的プロセスは、エッチングを多段階に分割し、エッチングのそれぞれの段階中において、エッチングのその段階中にエッチングされる材料に応答して、エッチングパラメータを変化させる。
請求項（抜粋）：
少なくともある場所に、下部部分上に載置された上部部分を含み、該上部部分が、ポリマー前駆体原子よりも正味で過剰なポリマーエッチング剤原子を含有し、その過剰の度合が前記下部部分におけるよりも大きい、多層集積回路の誘電体構造のエッチング方法であって、(a) 第1フッ素含有化学剤のプラズマ励起を用いて前記上部部分をエッチングするステップと、(b) ポリマー前駆体原子よりも正味で過剰なポリマーエッチング剤原子を含む第2フッ素含有化学剤であって、その過剰の度合が前記第1化学剤におけるよりも大きい、前記第2フッ素含有化学剤のプラズマ励起を用いて前記下部部分をエッチングするステップと、を含み、それにより前記下部部分上のポリマーの生成が防止される、前記エッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 F
, H01L 21/302 J
