特許

J-GLOBAL ID：200903046046218049

高周波用電界効果トランジスタ

発明者： 水原 紀明
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-095251
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284367
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 櫛歯状ドレイン電極と櫛歯状ソース電極とが互いに噛み合った高周波用電界効果トランジスタのドレインーソース間の寄生容量を小さくする。【解決手段】 活性領域にあるドレインオーミック電極9に比較して不活性領域5まで延びるドレインフィンガ33aの先端部33cを後退させ、同様に活性領域にあるソースオーミック電極10に比較して不活性領域5まで延びるソースフィンガ34aの先端部34cを後退させることにより、活性領域内でのゲートフィンガー8aに対して低いON抵抗を確保しつゝ不活性領域内でのソース、ドレイン間の対向面を減少して寄生容量を小さくする。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に不活性領域でとり囲まれて設けられた活性領域と、それぞれが前記活性領域を横切って互いに平行に配置される複数のゲートフィンガ及び前記不活性領域上に配置されて各ゲートフィンガの片側端が接続するゲート電極幹部とでなるゲート電極と、前記複数のゲートフィンガ間の前記活性領域の1個所おきに設けられて、前記活性領域の幅の略全体に渡る長さであって、前記活性領域にオーミック接触するドレインオーミック電極及び前記ドレインオーミック電極それぞれに接続して前記不活性領域まで延びるドレインフィンガが前記不活性領域上で共通接続されたドレイン引出し電極を含むドレイン電極と、前記複数のゲートフィンガ間の残りの個所に設けられ、前記活性領域の幅の略全体に渡る長さであって、前記活性領域にオーミック接触するソースオーミック電極及び前記ソースオーミック電極それぞれに接続して前記不活性領域まで延びるソースフィンガが前記不活性領域上で共通接続されたソース引出し電極を含むソース電極とを備える高周波用電界効果トランジスタにおいて、前記ドレインオーミック電極に比較して前記ドレインフィンガの先端が、及び(又は)前記ソースオーミック電極に比較して前記ソースフィンガの先端が、後退していることを特徴とする高周波用電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Fターム (16件)：

5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102FA10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL03 ,  5F102GL05 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102GS07 ,  5F102GS09 ,  5F102GV07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電界効果型半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-249677   出願人：三洋電機株式会社