特許
J-GLOBAL ID：200903046051735850
電気接触子用材料とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-198910
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030558
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 接触抵抗の上昇の起こりづらい電気接触子用材料とその製造方法を提供する。【解決手段】 Ni:0.5〜5重量%,Si:0.2〜1.5重量%を必須成分として含有するCu合金の基体1の表面に、Cu3Sn(ε相)層2aとCu6Sn5(η'相)層2bとの中間層2を介して純Sn主体の表面層3が形成され、表面層3の厚みは少なくとも0.6μmであり、表面層3の少なくとも800Åの深さまでの部分では、C,O,Snのみが検出され、Cuは検出されないかもしくは検出限界以下の濃度であり、かつC,O,Sn以外の元素の検出濃度が相対値で3%以下である元素分布を有しており、また150°Cの大気中で50〜100時間の加熱処理を施したのちの前記表面層の少なくとも700Åの深さまでの部分では、C,O,Snに加えてSiとCuが検出される元素分布を有している電気接触子用材料。
請求項（抜粋）：
Ni:0.5〜5重量%,Si:0.2〜1.5重量%を必須成分として含有するCu合金の基体の表面に、Cu3Sn(ε相)層とCu6Sn5(η'相)層とがこの順序で積層されて成る中間層を介して純Sn主体の表面層が形成されている電気接触子用材料であって、前記表面層の厚みは少なくとも0.6μmであり、前記表面層に対して加速電圧10kV,試料電流1〜7×10-7A,サンプリング時間128〜256msecの条件下でオージェ電子分光分析を行ったときの前記表面層の少なくとも800Åの深さまでの部分は、C,O,Snのみが検出され、Cuは検出されないかもしくは検出限界以下の濃度であり、かつC,O,Sn以外の元素の検出濃度が相対値で3%以下である元素分布を有しており、かつ、150°Cの大気中で50〜100時間の加熱処理を施したのちの前記表面層に対して前記した条件下でオージェ電子分光分析を行ったときの前記表面層の少なくとも700Åの深さまでの部分は、C,O,Snに加えてSiとCuが検出される元素分布を有していることを特徴とする電気接触子用材料。
IPC (4件)：
H01H 1/02
, C23C 14/14
, C22C 9/06
, H01L 23/50
H01H 1/02 C
, C23C 14/14 G
, C22C 9/06
, H01L 23/50 V
4K029AA02
, 4K029BA15
, 4K029BA21
, 4K029BC03
, 4K029BD00
, 5F067DC19
, 5F067DC20
, 5F067EA04
, 5G050AA07
, 5G050AA13
, 5G050AA29
, 5G050AA43
, 5G050AA45
, 5G050BA04
, 5G050BA12
, 5G050CA01
, 5G050DA07
, 5G050DA10
, 5G050EA06
, 5G050FA01
