特許
J-GLOBAL ID：200903046051786888

マイクロデバイス及びその製造方法

発明者：
下山 勲

下山 勲 について

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松本 潔

松本 潔 について

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岩瀬 英治

岩瀬 英治 について

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グェン ビン キエム

グェン ビン キエム について


出願人/特許権者：
国立大学法人 東京大学

国立大学法人 東京大学 について


代理人 (5件)： 牛木 護 ,  吉田 正義 ,  今枝 弘充 ,  梅村 裕明 ,  清水 栄松
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-149686
公開番号（公開出願番号）：特開2008-197611
出願日： 2007年06月05日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：
【課題】簡易な構成で小型化、薄型化を図ることができ、かつ生産性を向上させながら信頼性の高いマイクロデバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】高真空の中でも蒸発量が少ないシリコンオイルによってシリコンオイル膨出部6を形成したことで、高真空CVD法を用いて、液体状のシリコンオイル膨出部6の液表面に保護膜10を積層形成できるようにした。かくして簡易な構成で小型化、薄型化を図ることができ、また従来のようにを貼着する煩雑な組立工程を省くことができるので、その分生産性を向上させることができる。さらに、保護膜10を用いていることから、衝撃や重力などによってシリコンオイル膨出部6が変形してしまうことを防止でき、一段と信頼性の高い可変焦点液体レンズ1を提供できる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
表面に第1の電極を備えた基板と、 CVD(Chemical Vapor Deposition)法による薄膜形成処理の際に蒸発せずに残る液体からなり、表面張力又は支持部によって前記基板上から膨出した液体膨出部と、 前記CVD法によって前記液体膨出部の液表面に積層形成された保護膜と、 前記保護膜の表面に形成された第2の電極とを備え、 前記第1の電極と前記第2の電極との間に電圧を印加することにより発生する静電気力により前記保護膜の形状が変化する ことを特徴とするマイクロデバイス。
IPC (1件)：
G02B 3/14
FI (1件)：
G02B3/14
引用特許：
出願人引用 (4件)
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