特許
J-GLOBAL ID：200903046052344323
MFS型強誘電体記憶素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-364033
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177037
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 セルフアライン法を適用できる、微細加工に適した強誘電体記憶素子とその製造方法を提供すること。【解決手段】 電界効果型トランジスタのソース8、ドレイン9間のチャネルが形成される部分を強誘電体の残留分極を用いて制御する記憶素子は、Si単結晶基板1上のフィールド酸化膜2に覆われないアクティブ領域に常誘電体薄膜としてシリコン酸化物薄膜4、セリウム酸化物薄膜5の上に強誘電体薄膜3を設け、これに電圧印加するための電極として不純物ドープしたシリコン薄膜7を用い、強誘電体薄膜3と不純物ドープしたシリコン薄膜7との間に拡散防止層6を設けている。さらに層間絶縁膜10を設け、コンタクト穴をあけてこの中にチタン窒化物膜11とアルミニウム電極12とを順次設ける。
請求項（抜粋）：
電界効果型トランジスタのソース、ドレイン間のチャネルが形成される部分を強誘電体の残留分極を用いて制御する強誘電体記憶素子において、強誘電体薄膜に電圧印加するための電極が不純物ドープした導電性シリコンを含む薄膜からなり、強誘電体薄膜と不純物ドープした導電性シリコンを含む薄膜との間に拡散防止層を有することを特徴とする強誘電体記憶素子。
IPC (8件)：
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, G11C 17/04
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, G11C 17/04
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
