半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-141483
公開番号（公開出願番号）：特開2003-327797
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：

【要約】【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機質充填剤、(D)オルガノポリシロキサン又は(F)オルガノポリシロキサンのSiH基とアルケニル基含有エポキシ化合物のアルケニル基を付加反応させたブロック共重合体、及び(E)ホスファゼン化合物を必須成分とし、臭素化物及びアンチモン化合物を実質的に含まない半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物、及びこの組成物の硬化物で封止した半導体装置。【効果】本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物は、成形性に優れるとともに、難燃性及び耐湿信頼性に優れた硬化物を得ることができる。

請求項（抜粋）：

(A)エポキシ樹脂(B)硬化剤(C)無機質充填剤(D)下記平均組成式(1)で表されるオルガノポリシロキサン R<SP>1</SP><SB>m</SB>R<SP>2</SP><SB>n</SB>Si(OR<SP>3</SP>)<SB>p</SB>(OH)<SB>q</SB>O<SB>(4-m-n-p-q)/2</SB> ...(1)(式中、R<SP>1</SP>はフェニル基、R<SP>2</SP>は炭素数1〜6の一価炭化水素基又は水素原子、R<SP>3</SP>は炭素数1〜4の一価炭化水素基を表し、m,n,p,qは、0≦m≦2.0、0≦n≦1.0、0≦p≦2.5、0≦q≦0.35、0.92≦m+n+p+q≦2.8の範囲である。)(E)下記平均組成式(2)で示されるホスファゼン化合物【化1】(式中、XはO、S又はNR<SP>6</SP>であり、YはO、S又はNR<SP>7</SP>であり、R<SP>4</SP>,R<SP>5</SP>は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基、NR<SP>8</SP>R<SP>9</SP>及びSR<SP>8</SP>から選ばれる基であり、R<SP>6</SP>〜R<SP>9</SP>はそれぞれ水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基であり、a,b,cは0<a≦2c、0≦b<2c、a+b=2c、3≦c≦1000である。)を必須成分とし、臭素化物及びアンチモン化合物を実質的に含まないことを特徴とする半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物。

IPC (7件)：

C08L 63/00 , C08K 3/00 , C08K 5/5399 , C08L 83/06 , C08L 85/02 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (6件)：

C08L 63/00 Z , C08K 3/00 , C08K 5/5399 , C08L 83/06 , C08L 85/02 , H01L 23/30 R

Fターム (36件)：

4J002CC03X , 4J002CC04X , 4J002CC05X , 4J002CC06X , 4J002CC07X , 4J002CD03W , 4J002CD04W , 4J002CD05W , 4J002CD06W , 4J002CD07W , 4J002CE00X , 4J002CP033 , 4J002CP045 , 4J002CP053 , 4J002CP063 , 4J002CQ014 , 4J002DE136 , 4J002DE146 , 4J002DF016 , 4J002DJ006 , 4J002DJ016 , 4J002DK006 , 4J002DL006 , 4J002EW157 , 4J002FA046 , 4J002FD016 , 4J002FD090 , 4J002FD130 , 4J002FD134 , 4J002FD137 , 4J002FD200 , 4J002GQ00 , 4M109AA01 , 4M109CA21 , 4M109EB07 , 4M109EB18

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