特許
J-GLOBAL ID：200903046066267607
半導体モジュールの製造方法および半導体モジュールの製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
, 伊奈 達也
, 竹腰 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-176753
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351875
出願日： 2005年06月16日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】 レーザ光を実装に用いて信頼性の良好な半導体モジュールを作製できる半導体モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】 半導体モジュールの製造方法は,配線基板164の上方に半導体素子150を位置させる工程と、第1配線153の第1バンプ部157と第1電極の第1パッド部254とを、第1接合部材155を介して接触させ、第2配線163の第2バンプ部167と第2電極の第2パッド部154とを、第2接合部材165を介して接触させる工程と、レーザ素子部から出射されたレーザ光137を照射することにより第1接合部材155、第2接合部材165を加熱して接合する工程と、を含み、第1バンプ部157と第1パッド部254とを接合する工程に用いられるレーザ光137の照射条件は,第2バンプ部167と第2パッド部154とを接合する工程に用いられるレーザ光137の照射条件とは異なる。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
配線基板の第1配線と半導体素子の第1電極とが対向し、該配線基板の第2配線と該半導体素子の第2電極とが対向するように、該配線基板の上方に該半導体素子を位置させる工程と、
前記第1配線の第1バンプ部と前記第1電極の第1パッド部とを、第1接合部材を介して接触させ、前記第2配線の第2バンプ部と前記第2電極の第2パッド部とを、第2接合部材を介して接触させる工程と、
レーザ素子部から出射されたレーザ光を照射することにより前記第1接合部材を加熱して、前記第1バンプ部と前記第1パッド部とを接合する工程と、
前記レーザ光を照射することにより前記第2接合部材を加熱して、前記第2バンプ部と前記第2パッド部とを接合する工程と、を含み、
前記第1配線および前記第1電極の極性は、前記第2配線および前記第2電極の極性とは異なり、
前記第1バンプ部と前記第1パッド部とを接合する工程に用いられる前記レーザ光の照射条件は、前記第2バンプ部と前記第2パッド部とを接合する工程に用いられる前記レーザ光の照射条件とは異なる、半導体モジュールの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/60 311Q
, H01L21/60 311T
, H01S3/00 B
5F044KK06
, 5F044LL01
, 5F044LL05
, 5F044LL07
, 5F044PP19
, 5F044QQ06
, 5F044RR12
, 5F172AE26
, 5F172ZZ01
