特許
J-GLOBAL ID：200903046067630918
液体加熱型活性化アニール装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-084605
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246278
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 化合物半導体の活性化アニールにおいて、短時間加熱を実現することにより、化合物の組成変化や不純物の熱拡散を起こすことのないアニール装置を提供する。【解決手段】 イオン注入されたウエハー5に対し、注入層の活性化熱処理を施すための処理室9と、ウエハー5に熱を与える熱媒体2を入れた液槽1と、マウントされたウエハー5を熱媒体2に浸すため下降させるウエハーキャリア4とから構成される。熱媒体として、熱容量の大きい高温液体、例えば酸化物のB2O3やKCl,NaCl ,CaCl2等の塩化物を使用して、ウエハーへの短時間で大量の熱エネルギーの伝導を行う。
請求項（抜粋）：
イオン注入された半導体結晶基板を加熱して活性化を行うアニール装置において、前記半導体結晶基板に対し注入層の活性化熱処理を施すための処理室と、前記処理室内に、前記半導体結晶基板に熱を与えるための液体からなる熱媒体を溜める液槽と、該液槽に前記半導体結晶基板を導入する搬送装置と、を具備することを特徴とする液体加熱型活性化アニール装置。
FI (2件)：
H01L 21/324 D
, H01L 21/324 C
