特許
J-GLOBAL ID:200903046068733699

半導体製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鵜沼 辰之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-324653
公開番号(公開出願番号):特開平5-160111
出願日: 1991年12月09日
公開日(公表日): 1993年06月25日
要約:
【要約】【目的】 CVD装置やエッチング装置等に用いられる観測窓の反応生成物による汚染を防止し、常に窓ガラスをクリーンな状態に保つことにより、装置内の微粒子計測等を可能にし、半導体製造過程における歩留まりの向上と高スループット化を実現する。【構成】 窓ガラス表面と反応容器壁面との間にガス導入管とガス流出用小孔を有する補助真空室を設け、圧力差により、クリーンガスが補助真空室から反応容器内に流れるような構成にした。【効果】 反応生成物による窓ガラス表面の汚染を防止できるので、半導体製造装置の外部から窓ガラスを通して反応容器内への光導入や、反応容器内からの信号検出が容易になり、反応容器内の微粒子計測等ができるようになり、半導体製造過程の歩留まりの向上と高スループット化が実現できる。
請求項(抜粋):
真空状態の反応容器内を観察する観察窓を有する半導体製造装置において、前記観測窓と前記反応容器内との間に、該反応容器内へクリーンガスを流出する補助真空室を介在させたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件):
H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 冷凍機用圧縮機
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-014826   出願人:株式会社日立製作所

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