面発光型半導体レーザ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-025998
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283818
出願日： 1994年01月28日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】完全な電流狭窄が可能な構造を有し、かつ、出射されるレーザ光の偏波面の方向を特定方向に揃えることができる面発光半導体レーザを提供する。【構成】 (102,202,302,402,502,602)半導体基板に対して垂直な共振器を構成する半導体層の少なくとも(107,207,307,407,507,606)クラッド層を、半導体基板に対して垂直な1本又は複数本の柱状半導体層とする。このとき、柱状部分は、半導体基板に平行な断面が短辺および長辺から成る矩形断面とする。その柱状半導体層の周囲に(109,209,309,409,509,607,608)埋込み層を埋め込んで構成する。この構造により、出射されるレーザ光の偏波面は矩形断面の短辺の方向に揃う。

請求項（抜粋）：

半導体基板に垂直な方向に光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、反射率の異なる一対の反射鏡とそれらの間の多層の半導体層とを有し、前記半導体層のうちの少なくともクラッド層が1本又は複数本の柱状に形成されている光共振器と、前記柱状部分の周囲に埋め込まれている絶縁性の埋込み層と、前記柱状部分の表面にコンクタトし、かつ、前記柱状部分と対向する領域に光出射口を有し、少なくとも前記光出射口内に前記一対の反射鏡のうちの光出射側の反射鏡が形成される光出射側の電極と、を有し、前記柱状部分は、前記半導体基板に平行な横断面形状が長辺と短辺からなる矩形であり、出射されるレーザ光の偏波面の方向が、前記短辺の方向と平行であることを特徴とする面発光型半導体レーザ。

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平4-363081
半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-241474 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平4-363083

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