特許

J-GLOBAL ID：200903046080768856

パワー半導体モジュール

発明者： 菊池 巧 ,  藤岡 弘文 ,  菊永 敏之 ,  武藤 浩隆 ,  木ノ内 伸一 ,  碓井 修 ,  大井 健史
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-352217
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183249
出願日： 1998年12月11日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 パワー半導体モジュールにおける電気的接続の長期信頼性を得る。【解決手段】 パワー半導体モジュールにおいて、パワー半導体チップ3と直接接続する主回路配線をブスバー6で構成し、上記パワー半導体チップ3と上記ブスバー6のブスバー電極6aとを導電性樹脂12で電気的に接続するとともに、上記ブスバー電極6aの、上記パワー半導体チップ3と隣接する部分に、上記ブスバー電極6aよりも低熱膨張の部材13を接合した。

請求項（抜粋）：

ケース内にパワー半導体チップを有するパワー半導体モジュールにおいて、上記パワー半導体チップと直接接続する主回路配線をブスバーで構成し、上記パワー半導体チップと上記ブスバーのブスバー電極とを導電性樹脂で電気的に接続するとともに、上記ブスバー電極の、上記パワー半導体チップと隣接する部分に、上記ブスバー電極よりも低熱膨張の部材を接合したことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/48

FI (2件)：

H01L 23/36 D ,  H01L 23/48 G

Fターム (3件)：

5F036AA01 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ハイブリッドIC
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-142411   出願人：富士電機株式会社
• 特開平2-249249
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-143053   出願人：富士電機株式会社