特許
J-GLOBAL ID：200903046081561732
強誘電体層を有する半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曽々木 太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306561
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121731
出願日： 1991年10月26日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 酸化物を用いることなく、結晶化温度が低いので高温処理を必要とせず、しかも結晶構造が簡単な強誘電体を用いたMFS型半導体素子を提供する。【構成】 MFS型半導体素子の強誘電体層3の材質としてGeTe,SnTeやPbxGeTe1-x(0.01≦x≦1.00)等のIV-VI化合物を用いるものである。なお、強誘電体層5Aと半導体基板1および(または)電極4との間にバッファ層5Bを設けるのが好ましい。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板の表層部に所定の間隔をおいて形成された不純物拡散層と、前記半導体基板上で前記不純物層間に橋架された絶縁体層と、該絶縁体層上に積層された電極とからなる半導体素子であって、前記絶縁体層が、IVーVI化合物の強誘電体からなることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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