特許

J-GLOBAL ID：200903046083520391

光センサ素子

発明者： 内田 宏之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-199409
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058306
出願日： 1993年08月11日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 完全密着型イメージセンサに用いられる光センサ素子のリーク電流を抑制し、かつ光応答速度を速くする。【構成】 透光性絶縁基板1上に遮光層として絶縁性黒色薄膜2を形成し、この上に絶縁膜7を介して光電変換層8を設ける。この絶縁性黒色薄膜8はカーボン膜,非晶質シリコンカーボン膜でもよく、さらにカーボンブラックを分散させた架橋構造を有するアクリル系樹脂、もしくは共役系ポリマー組成物でもよい。次に、光源4により原稿5を照射し、反射光を光電変換層8により電気信号に変換する。これにより、絶縁性黒色薄膜2には、絶縁性が多少低下しても光の透過率が小さい材料が選択でき、漏洩光によって引き起こされるリーク電流を抑制し、かつ金属よりも電気抵抗が低くないため、電界効果の影響がなく光電変換層8に均一な電界が形成され、光応答速度が速くなる。

請求項（抜粋）：

透光性絶縁基板上に形成した遮光層と、前記遮光層上に配置した光電変換層と、前記光電変換層上に透光性絶縁保護層とを有する光センサ素子において、前記遮光層と前記光電変換層との間に絶縁層が形成され、かつ前記遮光層が絶縁性黒色薄膜であることを特徴とする光センサ素子。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 C ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭61-199661
  
• 特開昭63-117462
  
• 特開昭62-109001
  
• 特開昭61-050102
  
• 特開平2-072665