特許

J-GLOBAL ID：200903046084817827

半導体装置の製造方法

発明者： 麻埜 和則
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170801
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021419
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】InP基板に短時間で良好なバイアホールを形成する。【構成】表面に半導体装置の形成されたInP基板1にバイアホール6を形成する際、塩酸,過酸化水素水,酢酸の混合液でエッチングを行なうことにより、面方位依存性が小さく、表面荒れなどのない良好なバイアホール形状が得られる。またエッチング速度が速いので、短時間で工程を完了することができる。

請求項（抜粋）：

InP基板上に半導体素子を形成したのちこのInP基板にウェットエッチング法によりバイアホールを形成する半導体装置の製造方法において、エッチング液として塩酸と過酸化水素水と酢酸の混合液を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/308 ,  H01L 29/44

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-213134
  
• 特開平2-135735
  
• 特開平3-019338