特許

J-GLOBAL ID：200903046088251844

不揮発性メモリ領域の保護方法及び回路

発明者： フランソワ テリエ
出願人/特許権者： エスジェーエス-トムソン ミクロエレクトロニクス ソシエテ アノニム
代理人 (1件)： 越場 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-104190
公開番号（公開出願番号）：特開平8-286976
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【課題】 特別命令なしに保護区画可能な不揮発性メモリ領域の保護方法【解決方法】 本発明は、メモリMMを、顧客によって定義されたサイズを有する保護領域と、非保護領域とに区画することが必要なメモリ集積回路に関し、サイズを定義するために特別の命令を用いることを不要とする方法を提供する。この方法では、単に、顧客が選択するアドレスADPから始まって回路構成により強制されるアドレスADFMまで、感知可能な情報の書込を行う。アドレスADFMへの書込によって、最初に書込まれたアドレスを不揮発性レジスタRVに最終的に記憶させるためのシーケンス、及び、アドレスADP,ADFM間の領域を保護するシステムを活性化するためのシーケンスが自動的に開始される。EEPROMチップカードへの応用が可能である。

請求項（抜粋）：

メモリアドレスが保護領域或いは非保護領域のいずれに属するかによってそのメモリアドレスへのアクセスを禁止するか或いは許可する手段を備えたメモリ集積回路に、保護領域と非保護領域との間にメモリ区画を実現するための方法であって、保護領域は2つの領域の端部アドレスによって定義され、これら端部アドレスのうち一方(ADFM,ADQM)は予め設定されており他方(ADP)は選択されなければならない方法において、次の操作ステップを含むことを特徴とする方法:(a)所望の保護領域において連続するアドレスでメモリに書込を行うステップ、(b)先ず初めに、書込が行われた最初のアドレスの値を揮発性レジスタに自動的に書込むステップ、(c)保護領域の端部を表す予め設定されたアドレス(ADFM,ADQM)に、最後の書込操作を実行するステップ、及び、(d)上記予め設定されたアドレスへの書込操作のとき、揮発性レジスタ(RV)に記憶されたアドレスを不揮発性レジスタ(RNV)に自動的に転送するステップであって、保護領域は、それ以降、不揮発性レジスタに記憶されたアドレスと予め設定されたアドレスとの間に含まれるようになっているステップ。

IPC (2件)：

G06F 12/14 310 ,  G11C 16/06

FI (2件)：

G06F 12/14 310 H ,  G11C 17/00 309 F