特許

J-GLOBAL ID：200903046092098295

パワー半導体モジュール

発明者： 国分 秀弥 ,  斉藤 隆一 ,  小池 義彦 ,  関根 茂樹 ,  木村 新 ,  小池 信也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-002388
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191239
出願日： 1995年01月11日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】並列接続した自己消弧形パワー半導体モジュールの劣化や破壊の生じない、自己消弧形パワー半導体モジュールの並列接続回路を提供する。【構成】複数個の自己消弧型パワー半導体モジュールを並列に接続する時、それぞれのパワー半導体チップの各ゲート部に第1の抵抗体をパワー半導体チップ毎に内蔵し、かつ、各ゲート端子を並列接続した部分と,モジュール外部ゲート端子との間に、第2の抵抗体を内蔵する。【効果】並列接続するパワー半導体モジュール内、およびパワー半導体モジュール間のゲート共振を低減できるので、素子の劣化や破壊を防止することができる。

請求項（抜粋）：

複数個の自己消弧型パワー半導体チップの各エミッタ、および各コレクタ同士を並列に接続し、それぞれに外部への引出端子を接続し、前記パワー半導体チップをオンオフさせる外部駆動回路からのゲート信号線とエミッタ信号線を前記それぞれのパワー半導体チップのゲート、およびエミッタにそれぞれ接続してなる自己消弧型パワー半導体モジュールにおいて、それぞれのパワー半導体チップの各ゲート配線とモジュール外部ゲート端子との間に第1の抵抗体、および第2の抵抗体を少なくとも1ヶずつ直列に設けることを特徴とするパワー半導体モジュール。