特許

J-GLOBAL ID：200903046093125407

プラズマプロセス装置

発明者： ▲吉▼岡 健 ,  鈴木 和夫 ,  手束 勉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立エンジニアリングサービス
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-343898
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196444
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】全体をコンパクトに、かつ均一な成膜を可能としたプラズマプロセスプラズマ装置。【構成】プラズマ1をはさむようにギャップ部を持つ鉄芯磁路6を有し、その鉄芯磁路6のギャップ部が円筒中空状になっている。【効果】鉄芯磁路を用いることにより装置全体がコンパクト化され、中空円筒状にギャップにより、プラズマが円環状となり、均一な成膜ができる。

請求項（抜粋）：

放電ガスが導入され、プラズマを生成するプラズマ生成室と前記プラズマ生成室に磁場を発生する磁場発生手段と、前記プラズマ生成室にマイクロ波を導入する導波管を備え、前記マイクロ波と前記磁場との共鳴作用により前記プラズマ生成室内に生成する前記プラズマを用いて、前記プラズマ生成室に設置された試料の処理を行うプラズマプロセス装置において、前記磁場発生手段は、プラズマをはさむように構成された鉄芯磁場と、前記鉄芯磁路を励磁するための磁場コイルとを備え、前記鉄芯磁路のプラズマに面するギャップが円筒中空状に形成されることを特徴とするプラズマプロセス装置。