特許

J-GLOBAL ID：200903046097674456

半導体発光装置

発明者： 瀬島 良三 ,  城 祐治 ,  林 睦夫 ,  大沢 裕
出願人/特許権者： 三井物産株式会社 ,  西原金属工業株式会社
代理人 (1件)： 松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-370096
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136137
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】 放熱性の向上、熱による経年劣化防止、熱による半導体発光素子の剥離防止、及び静電気破壊防止を簡単な構造で実現すること。【解決手段】 半導体発光装置は、LEDチップ11が搭載された基台部18と、銀メッキ等の表面処理が施されて形成されたリフレクタ面17を有するケース16と、第1の電極部12、第2の電極部13、第1のリード14、第2のリード15、及び耐熱性透明ガラス蓋20とを具備して構成されている。基台部18を含むケース16は、LEDチップ11と同程度の熱膨張率を有し且つ一般的なセラミックスなどの無機材料よりも熱伝導率の高いシリコンカーバイド/シリコン/アルミニュウムの炭化ケイ素系複合材料で作製されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

リフレクタ面が形成される収納凹部を有するケースの基台部上に半導体発光素子が搭載されて構成された半導体発光装置において、前記基台部は前記半導体発光素子の熱膨張率と同等の熱膨張率を有し且つセラミックスなどの無機材料よりは熱伝導率が高い無機金属の複合材料で構成されていることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (5件)：

5F041AA33 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA36 ,  5F041DA76

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-340832   出願人：松下電工株式会社
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-037291   出願人：松下電工株式会社