特許
J-GLOBAL ID：200903046103566130
インターポーザ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-294851
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100962
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】基板をエッチングして開口部を形成することなく、絶縁膜の表裏両面を貫通するような導電膜を有するインターポーザを形成することを特徴とする。【解決手段】絶縁膜11と、この絶縁膜の表裏両面を貫通するように設けられたSi針状結晶12と、このSi針状結晶の側面と絶縁膜11との間に、Si針状結晶12の周囲を覆うように設けられた導電膜13とを具備することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
絶縁膜と、上記絶縁膜の表裏両面を貫通するように設けられたSi針状結晶と、上記Si針状結晶の側面と上記絶縁膜との間に、上記Si針状結晶の周囲を覆うように設けられた導電膜とを具備したことを特徴とするインターポーザ。
IPC (4件)：
H01L 23/32
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 23/32 D
, H01L 25/08 Z
