特許

J-GLOBAL ID：200903046104322145

基板処理装置及び方法

発明者： 工藤 利雄
出願人/特許権者： 住友重機械工業株式会社
代理人 (1件)： 井上 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-062242
公開番号（公開出願番号）：特開2001-247962
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 平坦な膜を形成することができ、溝や穴の埋め込みが容易な基板処理装置及び方法を提供すること。【解決手段】 イオンプレーティングユニットによって基板W上に金属膜MLを形成すると、金属が微小な液滴状となって基板W上に付着し、ドロップレットDLを形成することがある。このようなドロップレットDLは、基板W上に高アスペクト比で形成された溝TRを埋めることなく、溝TRの開口を塞ぐ(図4(a))。熱処理ユニットによって基板W上の金属膜MLをアニールすると、ドロップレットDLが流体化し、溝TRを完全に埋めることになる(図4(b))。

請求項（抜粋）：

プラズマビームを成膜室中に供給するプラズマ源と、膜材料を収容可能な材料蒸発源を有するとともに前記成膜室中に配置されて前記プラズマビームを導くハースと、前記成膜室中で前記ハースに対向して基板を保持する保持手段とを有する成膜ユニットと、処理室中に配置された基板上に形成された膜を加熱するためのレーザ光を発生するレーザ光源と、前記レーザ光を所定のビーム形状にして前記基板上に入射させるビーム整形光学系と、前記レーザ光を基板上で走査させる走査手段とを有する熱処理ユニットと、を備える基板処理装置。

IPC (3件)：

C23C 14/32 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

C23C 14/32 B ,  C23C 14/58 C ,  H01L 21/203 Z

Fターム (25件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA35 ,  4K029BB01 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA03 ,  4K029EA08 ,  4K029FA04 ,  4K029FA06 ,  4K029GA01 ,  4K029GA02 ,  4K029JA08 ,  4K029KA01 ,  5F103AA02 ,  5F103BB09 ,  5F103BB36 ,  5F103BB42 ,  5F103BB47 ,  5F103NN05 ,  5F103NN07 ,  5F103PP01 ,  5F103PP03 ,  5F103PP18 ,  5F103PP20