半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-396966
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197544
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、貫通転位密度を低く、表面ラフネスも実用レベルまで小さくすること。【解決手段】 Si基板1と、該Si基板上の第1のSiGe層2と、該第1のSiGe層上に直接又はSi層を介して配された第2のSiGe層3とを備え、前記第1のSiGe層は、膜厚の増加により転位を発生して格子緩和が生ずる膜厚である臨界膜厚の2倍より薄い膜厚であり、前記第2のSiGe層は、表面に向けてGe組成比が漸次増加するSiGeの傾斜組成層と該傾斜組成層の上面のGe組成比で傾斜組成層上に配されたSiGeの一定組成層とを交互にかつ連続したGe組成比で複数層積層状態にして構成され、前記第2のSiGe層下面のGe組成比は、前記第1のSiGe層におけるGe組成比の層中の最大値より低い。

請求項（抜粋）：

Si基板と、該Si基板上の第1のSiGe層と、該第1のSiGe層上に直接又はSi層を介して配された第2のSiGe層とを備え、前記第1のSiGe層は、膜厚の増加により転位を発生して格子緩和が生ずる膜厚である臨界膜厚の2倍より薄い膜厚であり、前記第2のSiGe層は、表面に向けてGe組成比が漸次増加するSiGeの傾斜組成層と該傾斜組成層の上面のGe組成比で傾斜組成層上に配されたSiGeの一定組成層とを交互にかつ連続したGe組成比で複数層積層状態にして構成され、前記第2のSiGe層下面のGe組成比は、前記第1のSiGe層におけるGe組成比の層中の最大値より低いことを特徴とする半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 29/161 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 29/163 , H01L 29/78 301 B

Fターム (27件)：

5F045AA06 , 5F045AB01 , 5F045AB10 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AE01 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CA05 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F052DA03 , 5F052DB02 , 5F052GC01 , 5F140AA01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG27 , 5F140BK13

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