特許
J-GLOBAL ID：200903046110745058
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-019113
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218586
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 レーザチップをサブマウント上にアップ・サイド・ダウンで半田付けする際に、半田がレーザチップの側面に沿って盛上ることがあっても、これによってエピタキシャル成長層のpn接合が短絡されるのを防止する。【構成】 レーザチップをサブマウント上にアップ・サイド・ダウンで半田付けして構成された半導体レーザ装置において、上記レーザチップは凸状に形成されたメサ形半導体基板の上面に、その上面形状に沿ってレーザ発振に必要な複数の層をエピタキシャル成長により形成して構成され、上記レーザチップをエピタキシャル成長層側で上記サブマウント上に半田付けしたことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
レーザチップをサブマウント上にアップ・サイド・ダウンで半田付けして構成された半導体レーザ装置において、前記レーザチップは凸状に形成されたメサ形半導体基板と、該半導体基板の上面にその上面形状に沿って形成されたレーザ発振に必要な複数の層からなるエピタキシャル成長層とからなり、前記レーザチップをエピタキシャル成長層側で前記サブマウント上に半田付けして構成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
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