特許
J-GLOBAL ID：200903046111432746
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164141
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013618
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置、特に樹脂封止した電力用モジュールの熱膨張係数の差違によるはんだ付け部分の剥れを防止した半導体装置を得る。【構成】 放熱板1上に絶縁基板2を接着し、その上のシリコンチップ7と絶縁基板2上のベース電極3およびエミッタ電極5間をアルミニウムワイヤ8,9でボンデイングし、放熱板1にケース12を接着し、シリコンチップ7およびアルミワイヤボンデイングしている絶縁基板2の部分のみ気密封止用絶縁ケース15で覆い、気密封止用絶縁ケース15の周辺部をエポキシ樹脂14で封止し、シリコンチップ7およびアルミニウムワイヤ8,9を保護することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
放熱板上に絶縁基板を接着し、その上にシリコンチップを搭載し、前記シリコンチップと絶縁基板上の電極間をワイヤボンデイングし前記絶縁基板上の電極部に外部電極端子をはんだ付けして取り出し、前記放熱板にケースを接着して、樹脂封止した半導体装置において、前記シリコンチップおよびワイヤボンデイングされている部分の絶縁基板上のみ絶縁材からなる気密封止用絶縁ケースで覆い、かつ前記気密封止用絶縁ケースの周辺部をエポキシ樹脂で封止したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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