特許

J-GLOBAL ID：200903046114392761

ヒドロ(アルキル)フラーレン金属錯体の製造方法、ヒドロ(アルキル)フラーレン誘導体の製造方法及びペンタアルキルフラーレン金属錯体の製造方法

発明者： 中村 栄一 ,  戸叶 基樹
出願人/特許権者： 中村 栄一 ,  三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-320701
公開番号（公開出願番号）：特開2004-155674
出願日： 2002年11月05日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】特定のフラーレンの金属錯体及び誘導体を、簡便に効率的に製造する方法を提供する。【解決手段】フラーレン又はフラーレンの有機基付加体と、遷移金属前駆体、又は遷移金属前駆体及び還元剤とを反応させるヒドロ(アルキル)フラーレン金属錯体の製造方法、及び該反応をプロトン化試剤の存在下に行うヒドロアルキルフラーレン誘導体の製造方法、更にはヒドロアルキルフラーレン金属錯体と塩基及びアルキル化剤とを反応させるペンタアルキルフラーレン金属錯体の製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

フラーレンと、遷移金属前駆体、又は遷移金属前駆体及び還元剤とを反応させることを特徴とする、一般式CxH5MLn(式1)で表されるペンタヒドロフラーレン金属錯体の製造方法。 (式1中、Cxはフラーレン骨格を表し、xは60以上の偶数、Mは遷移金属原子を表し、Lは配位子を表し、nは0〜5の整数であり、nが2以上の場合のLはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。)

IPC (5件)：

C07C13/64 ,  C07C1/30 ,  C07F7/08 ,  C07F15/02 ,  C07F17/02

FI (5件)：

C07C13/64 ,  C07C1/30 ,  C07F7/08 C ,  C07F15/02 ,  C07F17/02

Fターム (14件)：

4H006AA02 ,  4H006AC24 ,  4H006BA16 ,  4H006BA19 ,  4H006BA44 ,  4H006BB21 ,  4H049VN01 ,  4H049VP02 ,  4H049VQ05 ,  4H049VR24 ,  4H049VU33 ,  4H050AA02 ,  4H050WB11 ,  4H050WB21