窒化アルミニウム上への炭化珪素膜の形成方法、被膜構造体および炭化珪素膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-090616
公開番号（公開出願番号）：特開2001-270789
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】【課題】窒化アルミニウムからなる基体の表面に化学的気相成長法によって炭化珪素膜を形成する方法であって、基体が段差を有している場合に、角部の近辺からの炭化珪素膜の剥離を防止する。【解決手段】基体1Aが、第一の下地面1aと、第一の下地面よりも低い位置にある第二の下地面1bと、第一の下地面と第二の下地面との間に位置する、第一の下地面および第二の下地面に対して交差する方向へと伸びる段差面1bとを備えている。第一の下地面と段差面との間に複数の角部3A、3Bを設ける。各角部における開き角度α、βがそれぞれ130°以上である。あるいは、角部の断面輪郭の曲率半径を0.05mm以上とする。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウムからなる基体上に化学的気相成長法によって炭化珪素膜を形成する方法であって、前記基体が、第一の下地面と、前記第一の下地面よりも低い位置にある第二の下地面と、前記第一の下地面と前記第二の下地面との間に位置する、前記第一の下地面および前記第二の下地面に対して交差する方向へと伸びる段差面とを備えており、前記第一の下地面と前記段差面との間に複数の角部を備えており、前記各角部における開き角度がそれぞれ130°以上であることを特徴とする、窒化アルミニウム上への炭化珪素膜の形成方法。

IPC (4件)：

C04B 41/87 , C23C 16/42 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (4件)：

C04B 41/87 G , C23C 16/42 , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

Fターム (21件)：

4K030AA03 , 4K030AA05 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA27 , 4K030BA29 , 4K030BA37 , 4K030CA05 , 4K030CA17 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030JA04 , 4K030JA20 , 4K030LA11 , 5F004AA13 , 5F004BB22 , 5F004BB29 , 5F045BB15 , 5F045EK09 , 5F045EM02 , 5F045EM09

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