特許

J-GLOBAL ID：200903046119801422

ガスセンサ

発明者： 井上 隆治 ,  夫馬 智弘 ,  大島 崇文
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 足立 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-226917
公開番号（公開出願番号）：特開2000-055854
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 酸化物半導体の抵抗値変化のオーバーシュートを抑制して、良好な応答性を呈するガスセンサを提供すること。【解決手段】 ガスセンサ1は、セラミック基板3の上面に一対の対向電極5を形成し、更にその上面に、雰囲気中のガス濃度に応じて抵抗値が変化する酸化物半導体7を積層した構造となっている。また、酸化物半導体7の表面を含むセラミック基板3の全周には、雰囲気から酸化物半導体7に至るガスの拡散を制御する拡散制御層9が設けられている。拡散制御層9が上記ガスの拡散を適切な速度に制御するため、SnO2 のように感度が優れた物質を酸化物半導体7として使用しても、抵抗値変化のオーバーシュートを良好に抑制することができる。

請求項（抜粋）：

表面に少なくとも一対の電極が設けられたセラミック基板と、上記電極に接触するように上記セラミック基板上に設けられ、ガス濃度に応じて抵抗値が変化する酸化物半導体と、を備えたガスセンサであって、上記酸化物半導体の表面に、雰囲気から上記酸化物半導体に至るガスの拡散を制御する拡散制御層を、設けたことを特徴とするガスセンサ。

Fターム (33件)：

2G046AA03 ,  2G046AA05 ,  2G046AA07 ,  2G046AA10 ,  2G046AA11 ,  2G046AA13 ,  2G046AA14 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BE03 ,  2G046EA02 ,  2G046EA11 ,  2G046FA01 ,  2G046FB02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE09 ,  2G046FE11 ,  2G046FE12 ,  2G046FE15 ,  2G046FE20 ,  2G046FE21 ,  2G046FE24 ,  2G046FE25 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE44 ,  2G046FE45 ,  2G046FE46 ,  2G046FE48 ,  2G046FE49

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-314452