特許

J-GLOBAL ID：200903046122548355

光電子増倍管

発明者： 須山 本比呂 ,  村松 雅治 ,  大石 誠 ,  石川 嘉隆 ,  山本 晃永
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-290070
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148113
出願日： 1994年11月24日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 光電子に対するアバランシェ増倍ゲインのユニフォミティを達成することにより、エネルギー分解能を大幅に向上させる。【構成】 光電子増倍管は、高真空に保持された外囲器の内部に、入射光によって励起した光電子を真空中に放出する光電陰極と、この光電陰極から放出された光電子を検出する半導体素子60とを備えている。この半導体素子60は、第1導電型の半導体基板61と、この半導体基板61上にエピタキシャル成長された第2導電型のキャリア増倍層62と、このキャリア増倍層62上に形成されてドーパント濃度が当該キャリア増倍層62よりも大きい第2導電型の降伏電圧制御層64と、この降伏電圧制御層64上に形成されることにより、当該降伏電圧制御層64の表面を光電子の受容部65として部分的に露出させるオーミック電極層68とから構成されている。

請求項（抜粋）：

内部を高真空に保持する外囲器と、この外囲器の入射窓の真空側に形成され、入射光によって励起した光電子を真空中に放出する光電陰極と、この光電陰極と対向して前記外囲器の内部に設置され、当該光電陰極から放出された前記光電子を検出する半導体素子とを備え、前記半導体素子は、第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上にエピタキシャル成長して形成された第2導電型のキャリア増倍層と、このキャリア増倍層上に形成されて当該キャリア増倍層のドーパント濃度よりも大きいドーパント濃度を有する第2導電型の降伏電圧制御層と、この降伏電圧制御層上に形成されることにより、当該降伏電圧制御層の表面を前記光電子の受容部として部分的に露出させるオーミック電極層とから構成されていることを特徴とする光電子増倍管。

IPC (2件)：

H01J 43/12 ,  H01L 31/107

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光電子増倍管
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-026165   出願人：バールテクノロジースインコーポレイテツド
• 特開昭55-044736