特許
J-GLOBAL ID：200903046125253380
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235134
公開番号（公開出願番号）：特開平5-072747
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 安定して高精度のパターンを得ることのできる化学増幅型レジストパターン形成方法を提供する。【構成】 基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、この感光性樹脂膜をパターン露光する工程と、ポストエクスポージャベークを行う工程と、アルカリ現像液を用いて前記感光性樹脂膜の現像を行い、パターン形成する工程とを含み、このポストエクスポージャベーク後に、ホトレジスト膜の温度履歴を該基板の面内で均一かつ基板間で同一となるよう制御しながら基板を冷却せしめ、この後現像を行う。露光後ポストエクスポージャベーク中又はそれに先立ち感光性樹脂膜を水蒸気雰囲気中にさらす化学増幅型のレジストを露光後ポストエクスポージャベーク中又はそれに先立ち感光性樹脂膜を溶剤雰囲気中にさらすレジストのポストエクスポージャベークを、減圧雰囲気または不活性ガス雰囲気中で行う。
請求項（抜粋）：
被処理基板上に、感光性樹脂膜を塗布する感光性樹脂膜塗布工程と前記感光性樹脂膜をパターン露光する工程と、前記感光性樹脂膜に対しポストエクスポージャベークを行う工程と、ホトレジスト膜の温度履歴を該基板の面内で均一かつ基板間で同一となるよう制御しながら基板を冷却せしめる冷却工程と、前記感光性樹脂膜の現像を行い、パターン形成する現像工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/38 511
, H01L 21/027
H01L 21/30 301 D
, H01L 21/30 361 Q
, H01L 21/30 361 L
