特許
J-GLOBAL ID：200903046127842928
ポリッシング方法及び金属配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276866
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295892
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 溝を有する絶縁膜に形成された金属膜の表面を傷つけることなく金属膜をポリッシングして、溝部に金属を埋め込む。【構成】 溝3の形成されているシリコン酸化膜2にバリアメタル層4を成膜し、リフロースパッタ法により半溶融状態のアルミ5が溝3を埋め込むように成膜した後、過酸化水素水とアミン水溶液からなる固体粒子を含まない加工液を滴下しながら、シリコン酸化膜2をポリッシングのストッパーとしてアルミ5およびバリアメタル4を除去し、溝部にアルミを埋め込む。加工液に固体粒子が存在しないため、得られた埋め込みアルミ配線表面にはキズが生じることはない。【効果】 ポリシング後のシリコン酸化膜表面は、ポリッシング用固体粒子の存在しない清浄面が得られる。
請求項（抜粋）：
固体成分を含まず、酸化剤水溶液とアルカリ性水溶液を用いてポリッシングすることを特徴とする金属のポリッシング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304 341
, H01L 21/3205
H01L 21/88 D
, H01L 21/88 N
