特許

J-GLOBAL ID：200903046133854474

ダイヤモンド作製方法およびその作製装置

発明者： 井上 亨 ,  角野 真也 ,  宮永 昭治
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-269605
公開番号（公開出願番号）：特開平5-305227
出願日： 1992年09月12日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】【目的】 従来より小規模で単結晶ダイヤモンドを高い生産性でもって作製することを目的とする。【構成】シリンダー型の高圧容器2を用いて、C60および/またはカーボンナノチューブを主成分とする炭素粉体6を円錐台状のダイヤモンドの窓材5を有した圧力圧子4でもって圧力勾配を有して加圧し、同時に窓材5からレーザー光8を照射させることにより、ダイヤモンドの窓材5を種結晶としてダイヤモンドをエピタキシャル成長させる。

請求項（抜粋）：

炭素を主成分とする粉体材料を出発材料として、該粉体材料を高圧にすることによってダイヤモンドを作製する方法であって、前記炭素を主成分とする粉体材料としてC60及び/またはカーボンナノチューブを主成分とする粉体材料を用い、前記炭素を主成分とする粉体材料を高圧にするに際して、圧力勾配を有して圧力を加え、かつ圧力が最大の部分にレーザ光を照射することを特徴とするダイヤモンド作製方法。