特許

J-GLOBAL ID：200903046146268779

半導体装置及びその製造方法

発明者： 井場 淳一郎 ,  幸山 裕亮
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-082729
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284587
出願日： 1997年04月01日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】本発明は、幅の異なる素子分離が混在する場合、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する事を目的とする。【解決手段】本発明は、半導体素子を形成する予定の複数の素子領域と、前記素子領域間を電気的に分離するための第一の及び第二の素子分離領域とを備え、前記第一の素子分離領域は前記一導伝型半導体基板表面に形成され、第一の絶縁膜で埋め込まれた第一の溝からなり、前記第二の素子分離領域は前記一導伝型半導体基板表面に反転防止用不純物を有する領域と、その領域の外周に第二の絶縁膜で埋め込まれた第二の溝とから為る事を特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子を形成する予定の複数の素子領域を有し、かつ、前記素子領域同士を電気的に分離するための第一の及び第二の素子分離領域とを備え、前記第一の素子分離領域は、前記一導伝型半導体基板表面に形成され、第一の絶縁膜で形成された第一の溝からなり、前記第二の素子分離領域は、前記一導伝型半導体基板表面に反転防止用不純物を有する領域と、その領域の外周に形成された第二の絶縁膜で形成された第二の溝と、から為る事を特徴とする半導体装置。