特許
J-GLOBAL ID：200903046149091934
反応性イオンエッチング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149079
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343361
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】プラズマ発生の安定を図り、ウェーハ4面内のエッチングレートを均一にする。【構成】上部電極2と下部電極3の間隔を十分に塞ぐとともにエッチング室5を囲むように環場コイル1を設け、電界に直交するとともにプラズマを閉じ込める一様の磁場発生させ、低圧でも安定してプラズマを発生させる。また、必要に応じて環状コイル1を被覆し、エッチング室5に取付けられる冷却管9を設け、環状コイル1の温度上昇を抑えるとともにエッチング室内の温度の安定を図り、よりエッチングレートの安定を行う。
請求項（抜粋）：
エッチング室内に対向して配置される上部電極及び下部電極と、これら電極間に高周波電圧を印加する高周波電極部と、前記上部電極と前記下部電極の間隙を埋めるとともに前記エッチング室を囲むように配置される環状コイルとを備えることを特徴とする反応性イオンエッチング装置。
IPC (2件)：
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