特許
J-GLOBAL ID：200903046149153263
発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-149220
公開番号（公開出願番号）：特開平7-015036
出願日： 1993年06月21日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 発光出力を損なうことなく立上がり時間を低減できる全面発光型の発光素子を提供する。【構成】 厚みが0.03μm以上0.15μm以下の範囲にある活性層3を導電型が活性層と同一であり厚さが40μm以上である第1クラッド層1と、導電型が活性層と異なり厚さが40μm以上である第2クラッド層2とで挟むダブルヘテロ構造を備える。
請求項（抜粋）：
第1導電型の活性層を第1導電型の第1クラッド層と第2導電型の第2クラッド層で挟むダブルへテロ構造を備える全面発光型の発光素子において、前記活性層の厚みが0.03μm以上0.15μm以下であり、前記第1クラッド層の厚みが40μm以上であり、前記第2クラッド層の厚みが40μm以上であることを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
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