半導体表面処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-089764
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237546
出願日： 2005年02月24日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】反射防止用テクスチャー構造など、光デバイスで使用される半導体表面の微細構造を形成するためには従来法では処理のためのコストがかかり、環境負荷の大きい廃棄物が発生する問題があった。【解決手段】タングステン微粒子をマスクとして水素ラジカルを半導体表面に照射することにより表面に微細な構造を形成する。タングステン微粒子、水素ラジカルはタングステンフィラメントを用いた簡易な方法で生成可能であり、原料である水素ガスは安価でありかつ排気による環境負荷が少ない。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

水素ラジカル照射により結晶シリコン表面に微細構造を形成する方法

IPC (1件)：

H01L 21/302

FI (1件)：

H01L21/302 201A

Fターム (8件)：

5F004AA16 , 5F004BA19 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004DA24 , 5F004DB01 , 5F004EA03 , 5F004EB08

前のページに戻る