半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀧野秀雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-088235
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345940
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】ユーザから受注してから実際にサンプル品をユーザに納品するまでの期間を数日程度までに短縮し、ユーザからの注文に即応した迅速な製品出荷やサンプル出荷を実現し、高い顧客満足を得ること。【解決手段】所定波長範囲λ1〜λ2のレーザビーム13に対して半導体チップ上の調整回路の一部を切削するのに充分なエネルギーを透過する透明性材料14を用いて半導体チップをパッケージ化する工程と、前記工程後に前記レーザビーム13を半導体チップの上面から前記透明性材料を介して調整回路12に集光し調整回路12の一部を切削して前記素子調整値を目標値に設定するトリミング工程とを有する。

請求項（抜粋）：

レーザートリミングを用いて素子調整値の変更が可能な調整回路が半導体チップ上に形成されている半導体装置において、前記半導体チップが、所定波長範囲のレーザービームに対して前記調整回路の一部を切削するのに充分なエネルギーを透過する透明性材料を用いてパッケージ化されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , B23K 26/00 , H01L 21/82 , H01L 23/28

FI (4件)：

H01L 27/04 V , B23K 26/00 C , H01L 23/28 D , H01L 21/82 F

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-184050
特開平4-365366
特開昭63-122241

審査官引用 (4件)

特開平2-184050
特開平2-184050
特開平4-365366

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