特許
J-GLOBAL ID：200903046162276480
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060750
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275611
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 抵抗値を増加させることなく高いエレクトロマイグレーション耐性を有する構造を持った配線を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 基板11と、基板11の表面11aに形成された突条のステップパターン13と、ステップパターン13の一方の側壁14aに沿って形成され、一方の側壁14aに沿って一列に連続する結晶粒構造を有する配線12とを有する。また、基板11の表面11aに突条のステップパターン13を形成する第1の工程と、配線材料を、基板11の表面11aに対し、隣り合うステップパターン13に跨って堆積することがない所定の角度で入射させて、ステップパターン13の一方の側壁14aに堆積させる第2の工程と、堆積させた配線材料を加熱して、ステップパターン13の一方の側壁14aに沿って一列に連続する結晶粒構造を有する配線12を形成する第3の工程とを有する。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の表面に形成された突条のステップパターンと、前記ステップパターンの一方の側壁に沿って形成され、前記一方の側壁に沿って一列に連続する結晶粒構造を有する配線とを有することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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