特許
J-GLOBAL ID:200903046164204737

太陽電池セル

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-322451
公開番号(公開出願番号):特開平10-163511
出願日: 1996年12月03日
公開日(公表日): 1998年06月19日
要約:
【要約】【課題】 テクスチャ構造を有する太陽電池の表面にバイパス用ダイオードを正確に能率よく形成する。【解決手段】 P型シリコン基板1の表面にテクスチャ構造13を有するN型領域2とその間に挟まれた平坦部22とを形成し、平坦部にP+ 型領域4を形成する。
請求項(抜粋):
受光面側に無反射表面形状と平坦部とを有する第1の導電型の基板と、前記基板の受光面側に形成された第2の導電型の領域と、第2の導電型の領域に形成した電極と、前記基板および第2の導電型の領域の双方に接しかつ前記電極と接触しないように配置された基板より高濃度の領域を有する太陽電池セルにおいて、前記の基板より高濃度の領域は、前記基板受光面側の平坦部に設けられていることを特徴とする太陽電池セル。

前のページに戻る