面発光半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095375
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283844
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】高出力で低しきい値かつ安定な基本横モード発振が可能な面発光半導体レーザが得られない。【解決手段】半導体基板(11)上に少なくとも第1導電型の下部ミラー層(12)と、ダブルヘテロ構造を有する活性層(13)と、第2導電型の上部ミラー層(14)と、前記半導体基板と電気的に接続された第1の電極(17)と、前記第2導電型の上部ミラー層と電気的に接続された第2の電極(18)とを有する面発光半導体レーザにおいて、前記活性層(13)の周辺部が活性層(13)と異なる材料で構成され、さらに第2の電極(18)の少なくとも一部が第2導電型の上部ミラー層側面に形成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくとも第1導電型の下部ミラー層と、ダブルヘテロ構造を有する活性層と、第2導電型の上部ミラー層と、前記半導体基板と電気的に接続された第1の電極と、前記第2導電型の上部ミラー層と電気的に接続された第2の電極とを有する面発光半導体レーザにおいて、前記活性層の周辺部が活性層と異なる材料で構成され、さらに第2の電極の少なくとも一部が第2導電型の上部ミラー層側面に形成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ。

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