特許

J-GLOBAL ID：200903046166443496

側壁被覆性を改善するためのIMP及びスパッタリング処理の交互するステップ

発明者： プラブラム ゴパルラジャ ,  セルジオ エーデルステイン ,  アヴィ テップマン ,  ペイジュン ディン ,  デバブラタ ゴーシュ ,  ニルマーリャ マイティ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-357896
公開番号（公開出願番号）：特開2001-303247
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、PVDによって基板上にコンフォーマルな段差被覆性を達成するための方法及び装置を提供する。【解決手段】 ターゲットは、プラズマによってスパッタされイオン化される材料を供給する。イオン化は、例えば誘導コイルを使って、十分な密度のプラズマを維持することによって簡易化される。その後、イオン化された材料は、負の電圧にバイアスされた基板上に堆積される。処理中、ターゲットに供給される信号には、負の電圧部分とゼロの電圧部分が含まれる。負の電圧部分の間は、イオンはターゲットに引き寄せられスパッタリングを起こす。ゼロの電圧部分の間は、ターゲットからのスパッタリングが止まる一方で、基板上のバイアスにより基板から逆スパッタリングが起こる。従って、負の電圧部分とゼロの電圧部分が交互に変えてスパッタステップと逆スパッタステップの間を循環させる。信号の周波数、チャンバの圧力、それぞれの支持部材に供給される電力及びその他の処理パラメータを調節することにより、膜質及びその均一性を制御することができる。

請求項（抜粋）：

装置であって、(a)処理チャンバ、(b)第一の電源と結合している処理チャンバの中に配置された基板支持部材、(c)処理チャンバの中に配置されたターゲット、(d)ターゲットへの印加電圧が変えれるように適合した、ターゲットに結合した第二の電源、(e)電磁場源を備える装置。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H05H 1/24

FI (4件)：

C23C 14/34 U ,  C23C 14/34 N ,  H01L 21/203 S ,  H05H 1/24