特許

J-GLOBAL ID：200903046166806068

p型GaAs単結晶およびその製造方法

発明者： 藤澤 英夫 ,  片野 築 ,  山本 治
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 林 恒徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192042
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086398
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】平均転位密度を500cm-2以下とするp型GaAs単結晶及び、その製造方法を提供する。【解決手段】ドーパントとしてSiを1×1017〜1×1019cm-3原子、Znを2×1018〜6×1019cm-3原子含むことを特徴とする。さらに、一態様として、Bを1×1017〜1×1020cm-3原子含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ドーパントとして、SiとGaAs単結晶でp型を示すドーパントを、Siに対する該p型ドーパントの原子比として、1.5〜200の範囲で含むことを特徴とするp型GaAs単結晶。

IPC (3件)：

C30B 29/42 ,  C30B 11/00 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/42 ,  C30B 11/00 Z ,  H01L 21/208 T

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-176200
  
• 特開昭62-012700