特許
J-GLOBAL ID：200903046167063107
III -V族化合物半導体結晶成長法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038034
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249581
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 III -V族化合物半導体結晶成長法に関し、HBT等のベース層とエミッタ層を形成するIII -V族化合物半導体層を同一温度で成長することができる手段を提供する。【構成】 ハロゲン化炭素とV族有機化合物を同時に供給してIII -V族化合物半導体にカーボンをドープしてエピタキシャル成長する。この場合、ハロゲン化炭素として四臭化炭素を、V族有機化合物としてトリメチルアルシンを用いると好適である。またこの場合、III 族元素としてガリウムが含まれる場合、そのガリウム原料としてトリエチルガリウムを用いると好適である。
請求項（抜粋）：
ハロゲン化炭素とV族有機化合物を同時に供給して、III -V族化合物半導体にカーボンをドープすることを特徴とするIII -V族化合物半導体結晶成長法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
