特許
J-GLOBAL ID：200903046168492737

半導体装置の製造方法

発明者：
前村 公博

前村 公博 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331652
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162976
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】半導体装置においてトランジスタの微細化に伴い電流駆動力を上げるためにゲート絶縁膜を薄膜化する必要性があり、絶縁膜の薄膜化による信頼性劣化の対策として絶縁膜に窒化酸化膜を用いていた。しかしながら窒化酸化膜を用いたゲート絶縁膜を形成する工程は熱酸化によりゲート酸化膜を形成する工程と比較して熱処理工程数が増えるという問題があった。【解決手段】半導体基板において犠牲酸化膜を形成する工程に引き続き、窒素化合物を含む雰囲気中でアニールをする工程と犠牲酸化膜を剥離し、ゲート絶縁膜を形成する工程からなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板において犠牲酸化膜を形成する工程に引き続き、窒素化合物を含む雰囲気中でアニールをする工程と犠牲酸化膜を剥離し、ゲート絶縁膜を形成する工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G
引用特許：
審査官引用 (3件)

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