特許
J-GLOBAL ID：200903046168962911
液晶表示装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317544
公開番号（公開出願番号）：特開平6-160905
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：
【要約】【目的】 大画面、高密度の液晶パネルを安価で達成し、端子およびラインの変質を防止することを目的とする。【構成】 ゲートライン(53)を、ゲート端子(64)手前で終端させ、このラインを含めた全面にはゲート絶縁膜(56)が覆われている。またこのゲート絶縁膜上には、ITOより成るゲート端子(64)が設けられ、この端子とゲートラインの間は、高融点金属で接続されている。
請求項（抜粋）：
透明に絶縁性基板に設けられたAlよりなるゲートおよびこのゲートと一体で予定のゲート端子位置の手前で終端したゲートラインと、このゲート、ゲートラインおよびゲート端子位置を含めた前記絶縁性基板面に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲートに対応するこのゲート絶縁膜上に設けられたノンドープの第1の非単結晶シリコン膜および高濃度にドープされた第2の非単結晶シリコン膜と、前記ゲートを一構成とするトランジスタのドレインに対応する前記第2の非単結晶シリコン膜とコンタクトしたドレイン電極と一体で前記ゲートラインと交差する方向に延在されたドレインラインと、前記ドレインラインと前記ゲートラインで囲まれた領域に設けられたITOよりなる表示電極と、この表示電極と同一材料より成り、前記ゲート端子位置に設けられたゲート端子と、前記表示電極と前記トランジスタのソースに対応する前記第2の非単結晶シリコン膜をコンタクトしたソース電極と、前記ゲート端子位置手前にあるゲートラインの一部を露出したコンタクトホールを介し、前記ゲートラインを前記ゲート絶縁膜上に延在させる高融点金属より成る接続電極と、前記接続電極の表面を覆う被覆電極とを少なくとも有することを特徴とした液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
