薄膜デバイスの転写方法、及びデバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：上柳雅誉 , 藤綱英吉 , 須澤修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-382626
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140380
出願日： 2003年11月12日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：

【課題】被剥離物の特性、条件等にかかわらず、容易に剥離することができ、特に、種々の転写体への転写が可能な剥離方法を提供すること。【解決手段】基板上に分離層を介して形成された薄膜デバイスを含む被転写層を前記基板から剥離し、転写体に転写する薄膜デバイスの転写方法において、前記被転写層の前記基板とは反対側に前記転写体を配置する工程、及び、前記分離層の層内および/または界面において剥離を生ぜしめ、前記被転写層を前記基板から離脱させて前記転写体へ転写する工程、を具備してなり、前記転写を複数回行うことにより、前記被転写層の表裏を前記基板に形成したときの状態と同じにすることを特徴とする。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板上に分離層を介して形成された薄膜デバイスを含む被転写層を前記基板から剥離し、転写体に転写する薄膜デバイスの転写方法において、前記被転写層の前記基板とは反対側に前記転写体を配置する工程、及び、前記分離層の層内および/または界面において剥離を生ぜしめ、前記被転写層を前記基板から離脱させて前記転写体へ転写する工程、を具備してなり、前記転写を複数回行うことにより、前記被転写層の表裏を前記基板に形成したときの状態と同じにすることを特徴とする薄膜デバイスの転写方法。

IPC (4件)：

H01L27/12 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (3件)：

H01L27/12 B , H01L21/20 , H01L29/78 627D

Fターム (33件)：

5F052AA02 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB06 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052JA01 , 5F052JA07 , 5F110AA30 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110PP04 , 5F110PP10 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (1件)

特表平6-504139

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