特許

J-GLOBAL ID：200903046172553996

多層レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 塩原 英志 ,  佐藤 康彦 ,  大西 廉伸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-093220
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284209
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 多層レジストプロセスにおける塗布工程を簡略化することができる多層レジストパターン形成方法及びその製造方法を提供する。【解決手段】 SOG膜材料の溶媒に対する溶解性の低い材料を下層レジストとして用い、この溶液を被加工基板10上に塗布し、その後下層レジスト溶液の膜3′のベーク前に、この膜上にSOG溶液7を滴下し塗布膜形成する。塗布後の下層レジスト溶液の膜をスピンドライ等で乾燥した後に、SOG溶液を滴下しても良い。その後、SOG溶液7を乾燥し、下層レジスト溶液の膜3′及びSOG溶液7の膜を一括してホットプレート5の上でベーク(加熱処理)する。次に、このSOG膜上に上層レジスト溶液を塗布した後、ベークして上層レジストを形成する。従来各膜を形成する毎に行われてきた下層レジスト、SOG膜を形成する塗布、ベーク工程を1回にできる。即ちベーク工程を1回省略できる。

請求項（抜粋）：

被加工基板上に少なくとも下層レジスト、この下層レジストのマスクとなる中間層及び上層レジストよりなる多層の塗布膜を形成し、これら多層の塗布膜を順次エッチングによってパターン転写を行う工程を具備し、前記中間層の塗布膜は、金属化合物からなり、前記下層レジストの塗布膜は、前記中間層の前記金属化合物溶液の溶媒に対して溶解性の低い材料の少なくとも有機化合物からなり、前記下層レジストの前記有機化合物の溶液を前記被加工基板上に塗布、乾燥後に、前記中間層である金属化合物の溶液を前記下層レジストの塗布膜上に塗布、乾燥し、前記下層レジスト及び前記中間層の塗布膜を同時に加熱処理することを特徴とする多層レジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 521

FI (4件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (12件)：

2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096CA14 ,  2H096DA01 ,  2H096HA23 ,  2H096HA27 ,  2H096JA04 ,  2H096KA08 ,  5F046NA07 ,  5F046NA12 ,  5F046NA17 ,  5F046NA18